ASML EUV技术持续突破 中国探索EUV-FEL新路径
2025-06-16

光
光刻机
负面
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ASML持续推动EUV光刻机技术升级,High NA EUV已获英特尔采用,下一代Hyper NA EUV计划2030年前后推出。中国正研究EUV-FEL替代技术应对禁运。ASML研发投入巨大,面临光源功率提升、反射镜优化等技术挑战,与ARCNL合作推进前沿研究。EUV-FEL技术虽具潜力但商业化存疑。ASML技术路线图显示未来15年可支撑1nm以下制程,但2埃米以下需突破物理极限。


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