车规MRAM良率破95% 助推MCU国产化
2025-03-17
浙江驰拓科技研发的40nm车规级MRAM芯片实现95%良率,支持-40~125°C工作温区,数据保持超10年,耐写万亿次,达车规AEC-Q100 Grade1标准。该技术突破提升嵌入式MRAM在车规MCU市场的应用潜力,推动国产存储技术替代进程。
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