环球晶突破12英寸方形碳化硅晶圆技术，大厂长约+产能扩建利好芯片材料链

环球晶宣布开发出12英寸方形碳化硅晶圆，突破传统圆形晶圆制程与设备限制；其美国德州12英寸SiC晶圆厂已量产，缺陷密度低至0.15/cm?，获英飞凌、安森美等车用芯片大厂五年长约；从美国《芯片法案》获得超2亿美元资金，工厂正推进扩建，设备进驻率30%-40%并启动小规模生产，计划追加投资扩大产能。