三星押注VCT技术革新DRAM工艺，下一代内存芯片或迎重大突破

三星电子计划在其第七代10nm级DRAM的1d nm工艺后引入垂直通道晶体管（VCT）技术，预计产品2-3年内面世。三星此前在1e nm与VCT方案中选择后者，因技术革新潜力更大，并整合团队加速开发。VCT技术能通过三维空间提升存储密度，但开发难度极高，需突破传统技术限制和采用先进封装工艺。