三星押注VCT技术革新DRAM工艺,芯片巨头争霸战再升级
2025-04-28
三星电子决定在第七代10nm级DRAM工艺后导入垂直通道晶体管(VCT)技术,预计2-3年内推出相关产品。该技术通过三维空间利用提升存储密度,但面临极高开发难度。竞争对手SK海力士选择不同技术路径。此举凸显三星欲通过技术革新巩固DRAM市场地位。


本页面内容由AI提炼生成,无法确保完全真实准确,不代表希财网官方立场,不构成投资建议。如需阅读详细说明,请点击此处
