铜—铜混合键合技术革新推动3D封装突破，半导体行业迎新发展机遇

铜—铜混合键合技术通过亚微米级垂直互连，将3D封装的互连密度提升两个数量级，解决传统微凸块技术在微缩化中的缺陷。该技术降低电阻和功耗，提升散热能力，支持异构集成，已被三星、AMD、英伟达等企业应用于DRAM堆叠、AI芯片等领域。但量产面临洁净度、热膨胀控制和成本高等挑战，需持续技术突破。